1956年★✿★，半导体技术作为四大紧急措施之一写入中科院的学部委员们编撰德《十二年科学技术发展远景规划》★✿★，获得周总理批示★✿★；
1980年★✿★，徐端颐及其团队研制第四代分步式投影光刻机获得成功★✿★，光刻精度达到3微米★✿★，接近国际主流水平★✿★；
1982年★✿★，科学院109厂的KHA-75-1光刻机★✿★，估计跟当时最先进的canon相比最多也就不到4年差距★✿★；
1985年★✿★，中电科45所研制出分步投影式光刻机★✿★，通过电子部技术鉴定★✿★，认为达到1978年美国GCA公司推出的4800DSW水平★✿★。这应当是中国第一台分步投影式光刻机金宝搏188官网app网址★✿★，中国在分步光刻机上与国外的差距不超过7年★✿★。后来的光刻机巨头ASML公司刚刚诞生★✿★。
（国内半导体产业薄弱★✿★，虽有光刻机★✿★，没有市场★✿★，也就没有商业化★✿★，机器都只是实验室摆放★✿★，相关研究成果及论文★✿★，在通过专家评审后即被束之高阁★✿★，之后与国外差距越来越大★✿★。“纸上谈兵”★✿★，应该是对这个阶段中国光刻机技术的最好注解★✿★。）
1986年WRITEAS注射★✿★，电子工业部在厦门,举办集成电路战略研讨会金宝搏188官网app网址★✿★，提出“531战略”,即“普及推广以742厂为基点的5微米技术★✿★、研发3微米技术,攻关1微米技术”★✿★，但742厂后两种技术的设备和技术仍然全从国外引进★✿★；
1990年★✿★，电子工业部启动“908工程”★✿★，目标是建成一条６英寸0.8~1.2微米的芯片生产线★✿★，项目由无锡华晶承担★✿★；
1991年★✿★，中科院光电所研制出分辨率1微米同步辐射X-射线所研制出g线微米分步式投影光刻机★✿★；
1995年★✿★，电子工业部提出实施“909工程”★✿★，投资100亿人民币★✿★，由上海华虹承担★✿★，与NEC合作★✿★，项目于1996年启动★✿★，未来的二号企业诞生★✿★；
908★✿★、909两大工程选择与美★✿★、日企业合作★✿★，国内主体承担企业无锡华晶和上海华虹★✿★，工程失败和收效甚微★✿★，国内产业也受到严重冲击与挤压★✿★。
（上层希望通过市场化和运动式集中攻关换取行业发展金宝搏188官网app网址★✿★，然而外国封锁解除WRITEAS注射★✿★，企业可以购买到更具性价比的国外产品★✿★，“造不如买”的思潮迅速蔓延金宝搏188官网app网址★✿★，我国光刻技术的研发和产业化开始停滞不前金宝搏188官网app网址★✿★，国内市场需求成为外企的蛋糕）
2000年★✿★，6月★✿★，国务院印发《鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干政策》★✿★，即18号文件★✿★；刺激了海归创业和自主发展热潮★✿★；
2002年★✿★，新型光刻机被列入“863重大科技攻关计划”★✿★，同年★✿★，台机电联合ASML成功研发出的新一代光刻机★✿★，将芯片制程推进到45nm★✿★；
（卡脖子★✿★，没得说★✿★，市场换技术★✿★，换不来最先进技术WRITEAS注射WRITEAS注射★✿★，街边架铁炉也没法做出芯片★✿★，核心技术还是得掌握在自己手上）
2007年★✿★，上海微电子宣布突破365nm光波长的DUV（深紫外）光刻技术★✿★，研制出90nm工艺的分布式投影光刻机★✿★；（大部分关键元器件外国提供★✿★，西方禁运★✿★，基本成摆设）
2008年★✿★，国家成立“极大规模集成电路制造装备及成套工艺专项”（02专项）★✿★，将ASML的EUV技术列为下一代光刻技术重点攻关的方向★✿★，国家计划在2030年实现EUV光刻机的国产化★✿★；
鉴于上海微电子的前车之鉴WRITEAS注射★✿★，02专项扶持一整批配套企业★✿★，长春光电所★✿★、上海光电所和国科精密研究曝光光学系统★✿★，北京华卓精科承担双工件台★✿★，南大光电研制光刻胶★✿★，启尔机电负责突破DUV光刻机液浸系统等★✿★；
2015年4月★✿★，北京华卓精科科技股份有限公司“65nmArF干式光刻机双工件台”通过整机详细设计评审★✿★，具备投产条件★✿★；
2016年★✿★，国科精密研发国内首套用于高端IC制造的NA=0.75投影光刻机物镜系统金宝搏188官网app网址★✿★，国望光学研发首套90nm节点ArF投影光刻机曝光光学系统★✿★；
2016年★✿★，华卓精科成功研制两套双工作台样机★✿★，打破ASML垄断★✿★，成为全球第二家掌握这项技术企业★✿★；
2016年★✿★，上海微电子SSX600系列量产★✿★，分别为90nm★✿★、110nm和280nm三款★✿★，落后时间更久了★✿★；且90nm制程一般用于电源★✿★、MCU等非核心芯片生产领域★✿★；
2017年★✿★，6月21日★✿★，中国科学院长春光学精密机械与物理研究所（现北京国望光学）牵头研发的“极紫外光刻关键技术”通过验收★✿★；
2018年★✿★，11月29日WRITEAS注射★✿★，中科院研制的“超分辨光刻装备”通过验收★✿★。光刻分辨力达到22nm★✿★，结合双重曝光技术后★✿★，未来还可用于制造10nm级别的芯片★✿★；
2019年★✿★，10月★✿★，国家大基金二期注册成立★✿★，注册资本2041.5亿★✿★，其投资方向之一就是光刻机等核心设备及关键零部件★✿★；
2020年★✿★，中科院光电研究院负责的准分子激光光源系统★✿★，由北京科益虹源负责产业转化★✿★，研究成果40W 4kHz ArF光源交付★✿★；
2020年★✿★，8月4日WRITEAS注射★✿★，国务院印发了《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展若干政策》★✿★，对进口掩模版等制造光刻机所需要的原材料★✿★，实施免征关税★✿★；
2021年上海微电子计划交付首台国产的28nm的immersion光刻机★✿★，和世界上最先进的ASML公司仍然具有20年左右的差距★✿★；（跳票中）
2022年★✿★，浙江大学流体动力与机电系统国家重点实验室和启尔机电研发的浸液系统★✿★，已成功交付0号样机★✿★、1号机★✿★，进入产品制造阶段★✿★。